第三種電気主任技術者（電験三種） 過去問
令和8年度（2026年）上期
問11 (理論 問11)
問題文
次の文章は、不純物半導体に関する記述である。
価電子が（ ア ）個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に、価電子が（ イ ）個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えることによって（ ウ ）形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を（ エ ）という。
上記の記述中の空白箇所（ ア ）～（ エ ）に当てはまる組合せとして、正しいものを次のうちから一つ選べ。
価電子が（ ア ）個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に、価電子が（ イ ）個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えることによって（ ウ ）形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を（ エ ）という。
上記の記述中の空白箇所（ ア ）～（ エ ）に当てはまる組合せとして、正しいものを次のうちから一つ選べ。
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問題
第三種電気主任技術者（電験三種）試験 令和8年度（2026年）上期 問11（理論 問11） （訂正依頼・報告はこちら）
次の文章は、不純物半導体に関する記述である。
価電子が（ ア ）個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に、価電子が（ イ ）個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えることによって（ ウ ）形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を（ エ ）という。
上記の記述中の空白箇所（ ア ）～（ エ ）に当てはまる組合せとして、正しいものを次のうちから一つ選べ。
価電子が（ ア ）個のシリコン（Si）をきわめて高い純度に精製した真性半導体に、価電子が（ イ ）個のホウ素（B）などを不純物としてわずかに加えることによって（ ウ ）形半導体がつくられる。このとき加えた不純物を（ エ ）という。
上記の記述中の空白箇所（ ア ）～（ エ ）に当てはまる組合せとして、正しいものを次のうちから一つ選べ。
- ア：4 イ：5 ウ：n エ：ドナー
- ア：4 イ：3 ウ：p エ：アクセプタ
- ア：5 イ：4 ウ：n エ：アクセプタ
- ア：4 イ：3 ウ：p エ：ドナー
- ア：5 イ：4 ウ：p エ：アクセプタ
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